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可控硅过电流的原因及保护方法

发布时间: 2022-08-17 10:47:56    人气:89 次

产生过电流的原因进行多种形式多样,当变流装置公司内部结构元件损坏、控制或触发信息系统可以发生一些故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、负载过载等,均会引起装置中电力企业电子器件的电流超过一个正常管理工作电流。亚博全站登录平台-官方网站继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。整流桥将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。可控硅通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。由于可控硅的过流能力比一般通过电气工程设备低得多,因此,必须对可控硅采取过电流环境保护政策措施。  

在制动装置中可使用几种过流保护措施:

1、大漏抗整流变压器与交流输入线串联使用电抗来限制短路电流,但当交流电流较大时,这种方法会产生交流电压降。

2、在电检测和过电流继电器电流检测中,将采样电流与设定值进行比较,当采样电流超过设定值时,比较器输出信号增大相移角或拉反以减小电流。 有时需要停机。

3、直流系统快速进行开关以及对于变流装置功率大且短路可能性较多的场合,可采用动作发展时间我们只有2ms的直流快速开关,它能够先于经济快速熔断器断开而保护了可控硅,但价格比较昂贵使用方法不多。

4、快速通过熔断器与普通熔断器进行比较,快速熔断器是专门可以用来作为保护中国电力发展半导体设备功率控制器件过电流的元件,它具有经济快速出现熔断的特性,在流过6倍额定工作电流时其熔断导致时间成本小于工频的一个生命周期(20ms)。快速熔断器可接在信息交流侧、直流侧或与可控硅桥臂串联,后者没有直接影响效果佳。一般企业说来就是快速熔断器额定电压电流值(有效值IRD)应小于被保护采用可控硅的额定方均根通态电流(即有效值)ITRMS即1.57ITAV,同时要大于我们流过可控硅的实际通态方均根电流(即有效值)IRMS。


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